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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
41
En -71% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
11.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
24
Velocidad de lectura, GB/s
11.1
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1348
2484
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
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