RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
89
Por volta de 54% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
7.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
11.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
89
Velocidade de leitura, GB/s
11.1
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
7.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1348
1571
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link