RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Comparar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
48
Por volta de 25% menor latência
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.7
10.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
48
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
15.7
Largura de banda de memória, mbps
17000
25600
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
3047
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link