RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
41
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
11.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
38
Velocidade de leitura, GB/s
11.1
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
13.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1348
2944
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link