RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
41
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
38
Vitesse de lecture, GB/s
11.1
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1348
2944
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link