RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
41
Por volta de -78% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
11.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
23
Velocidade de leitura, GB/s
11.1
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
9.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1348
2591
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link