Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB

Pontuação geral
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Pontuação geral
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    3 left arrow 18.4
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    24 left arrow 69
    Por volta de -188% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    14.3 left arrow 1,441.2
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 5300
    Por volta de 4.02 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    69 left arrow 24
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,325.1 left arrow 18.4
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,441.2 left arrow 14.3
  • Largura de banda de memória, mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    525 left arrow 3158
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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