RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
69
Wokół strony -188% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3158
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link