RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
69
Около -188% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.3
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
18.4
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
3158
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link