RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
69
Около -188% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.3
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
18.4
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
3158
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link