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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Pontuação geral
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Razões a considerar
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
38
Por volta de -31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
7.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
3.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
29
Velocidade de leitura, GB/s
7.2
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
3.0
13.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
915
3483
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
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