RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Comparar
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
38
Por volta de -15% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
7.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
3.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
33
Velocidade de leitura, GB/s
7.2
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
3.0
11.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
915
3084
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link