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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Comparar
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Razões a considerar
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
38
Por volta de -3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
7.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
3.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
37
Velocidade de leitura, GB/s
7.2
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
3.0
10.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
915
2592
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Comparações de RAM
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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