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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Comparar
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Razões a considerar
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
38
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
7.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
3.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
35
Velocidade de leitura, GB/s
7.2
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
3.0
11.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
915
2822
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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