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Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Comparar
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB vs Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Pontuação geral
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Pontuação geral
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
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Razões a considerar
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
31
Por volta de -15% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.2
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
6.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Por volta de 1.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
31
27
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
12.2
Velocidade de escrita, GB/s
6.7
7.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
12800
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1304
1763
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
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