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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
43
Por volta de -39% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
11
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
31
Velocidade de leitura, GB/s
11.0
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
14.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1393
3500
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston X5H5PW-MIE 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
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