RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Comparar
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
43
Por volta de -105% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
11
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
21
Velocidade de leitura, GB/s
11.0
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
13.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1393
3042
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link