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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
比较
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
总分
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
总分
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
43
左右 -105% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
11
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
21
读取速度,GB/s
11.0
17.7
写入速度,GB/s
7.2
13.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1393
3042
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
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