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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
比较
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB vs SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
总分
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
总分
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.9
17.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
13.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
26
左右 -24% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
21
读取速度,GB/s
17.9
17.7
写入速度,GB/s
14.7
13.3
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3705
3042
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
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