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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
71
左右 48% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
71
读取速度,GB/s
13.2
15.5
写入速度,GB/s
8.4
8.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
1922
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
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