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PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
27
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
24
读取速度,GB/s
13.8
15.8
写入速度,GB/s
8.4
12.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2761
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB RAM的比较
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
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