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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
比较
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
总分
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
41
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
41
38
读取速度,GB/s
13.3
14.1
写入速度,GB/s
8.5
8.7
内存带宽,mbps
12800
10600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
2228
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Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
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Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
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