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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Comparar
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
51
Por volta de 47% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
12.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
51
Velocidade de leitura, GB/s
12.2
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
13.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1763
2778
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
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