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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Pontuação geral
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Razões a considerar
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
27
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
12.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
7.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
27
26
Velocidade de leitura, GB/s
12.2
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
9.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1763
2432
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Comparações de RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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Kingston 9905701-131.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
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