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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Comparar
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
41
Por volta de 34% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.3
12.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
7.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
27
41
Velocidade de leitura, GB/s
12.2
13.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
9.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1763
2016
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
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