RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Comparar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
10.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
46
Por volta de -18% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
39
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
12.8
Velocidade de escrita, GB/s
13.6
10.6
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2717
2423
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology DDR3 2133X 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link