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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Pontuação geral
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
11.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
46
Por volta de -31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
14.2
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
35
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
13.6
11.6
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2717
2609
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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