RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Comparar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
7.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
46
Por volta de -35% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
34
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
11.2
Velocidade de escrita, GB/s
13.6
7.6
Largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2717
2245
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link