RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
7.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
46
Около -35% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
34
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
11.2
Скорость записи, Гб/сек
13.6
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
2245
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link