RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Comparar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
14
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
10.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
46
Por volta de -21% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
38
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
13.6
10.4
Largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2717
2055
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link