RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
10.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
46
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
38
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2055
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link