RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Comparar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
75
Por volta de 39% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
7.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
14.2
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
75
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
13.6
7.1
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2717
1763
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link