RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Comparar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
46
Por volta de -59% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.8
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
13.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
29
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
18.8
Velocidade de escrita, GB/s
13.6
14.5
Largura de banda de memória, mbps
21300
25600
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2717
3675
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link