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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
36
Por volta de 39% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11% maior largura de banda
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
22
36
Velocidade de leitura, GB/s
17.7
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
12.7
8.2
Largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3075
2281
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparações de RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
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Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
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