RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Comparar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
40
Por volta de 45% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
17
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
12.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
22
40
Velocidade de leitura, GB/s
17.7
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.7
13.7
Largura de banda de memória, mbps
21300
25600
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3075
3180
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparações de RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link