RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Comparar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
28
Por volta de 21% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
17.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.5
12.7
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
22
28
Velocidade de leitura, GB/s
17.7
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.7
16.5
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3075
3741
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparações de RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link