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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Comparar
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Pontuação geral
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
18.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
77
Por volta de -166% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
1,884.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
29
Velocidade de leitura, GB/s
2,936.9
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,884.0
14.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
564
3434
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
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Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
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