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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Comparar
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Pontuação geral
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
77
Por volta de -235% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
1,884.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
23
Velocidade de leitura, GB/s
2,936.9
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,884.0
13.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
564
3233
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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