RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Comparar
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Pontuação geral
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
77
95
Por volta de 19% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.3
1,884.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
95
Velocidade de leitura, GB/s
2,936.9
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,884.0
7.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
564
1518
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link