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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
77
95
左右 19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
2
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.3
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
95
读取速度,GB/s
2,936.9
15.8
写入速度,GB/s
1,884.0
7.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
1518
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-519.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
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