RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Comparar
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
13.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
37
Por volta de -6% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
10.2
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
35
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
10.2
10.3
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2191
2155
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Comparações de RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link