RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Porównaj
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
37
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
10.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.2
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2191
2155
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link