RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Comparar
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
37
Por volta de -28% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
10.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
29
Velocidade de leitura, GB/s
14.7
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
10.6
12.9
Largura de banda de memória, mbps
17000
21300
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2438
3273
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link