RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
37
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
3273
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link