RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
37
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
3273
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Jinyu 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link