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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Comparar
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
6.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
37
Por volta de -54% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
24
Velocidade de leitura, GB/s
14.7
12.0
Velocidade de escrita, GB/s
10.6
6.6
Largura de banda de memória, mbps
17000
19200
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2438
1433
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB Comparações de RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
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