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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Comparar
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
37
Por volta de -6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
10.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
35
Velocidade de leitura, GB/s
14.7
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
10.6
11.2
Largura de banda de memória, mbps
17000
19200
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2438
2336
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
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