RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Comparez
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Note globale
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
37
Autour de -6% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
35
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2438
2336
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link