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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
8.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
36
Por volta de -24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
15
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
29
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
8.4
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2657
2513
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB Comparações de RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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