RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
36
Por volta de 19% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
12.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
36
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
10.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2177
2581
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link