RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
36
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
36
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
13.9
Скорость записи, Гб/сек
7.8
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
2581
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link