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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11% maior largura de banda
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
36
Por volta de -6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
10.1
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
34
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
12.6
Largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2657
3178
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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